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Advanced Heterogeneous Integration

새로운 시대를 여는
새로운 차원

삼성 파운드리의 Advanced Heterogeneous 칩 패키지는 오늘날 제조업체가 미래에 대한 혁신을 이룰 수 있도록 지원합니다.
삼성 파운드리는 최첨단 2.5D 및 3D 기술들을 통해
칩과 공정 노드, 첨단 기술을 결합하여 새로운 가능성을 열어줍니다.

인공지능, 5G, 자율 주행 차량, 메타버스 기술의 혁신은 우리의 생활 방식을 바꾸게 될 것이지만, 그러한 첨단 기술을 구동하는 데 필요한 기능과 성능을 하나의 칩에서 구현하는 일은 점점 복잡해지고 비용 대비 효율성이 떨어지고 있습니다.
삼성 파운드리의 Advanced Heterogeneous Integration을 통해 칩, 공정 노드, 최첨단 기술을 하나의 통합 패키지에 통합하여, 용량은 높이고 강력한 기능을 구현합니다.
이 모든 것을 하면서도 비용은 낮춥니다.
HBM과 첨단 컴퓨팅이 이끄는 미래에 삼성 파운드리의 Advanced Heterogeneous Integration은 제조업체가 제품의 성능 한계를 뛰어넘는 새로운 기술을 탐구하도록 도울 것입니다.
삼성 파운드리의 I-CUBE, H-CUBE, X-CUBE 솔루션에 대해 아래에서 자세히 알아보세요.

I-CUBE 2.5D Package

2.5D 패키지는 병렬 수평 칩 배치를 통해 칩에서 나오는 열을 배출하고 성능을 확장합니다.
삼성 파운드리의 TSV와 BEOL(Backend-of-the-line) 기술은 두 개 이상의 칩들의 특화된 기능을 조화롭게 연결시킬 수 있으며,
이 기술로 연결된 칩들은 각각의 성능을 뛰어넘는 강력한 솔루션을 새로운 기기에 제공합니다.

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삼성 파운드리의 I-CUBE S는 대형 크기의 실리콘 인터포저에서도 확실한 휨현상 제어로 높은 대역폭과 놀라운 성능을 제공합니다.
I-Cube S
  • I-CUBE S는 대형 크기의 실리콘 인터포저에서도 확실한 휨현상 제어로 높은 대역폭과 놀라운 성능을 제공합니다.

    매우 낮은 메모리 손실과 높은 메모리 용량이 결합하면서도 효율적인 열 제어가 가능합니다.
    또한 I-CUBE S는 로직 칩과 HBM 다이를 실리콘 인터포저 위에 수평으로 배치해서 강력한 컴퓨팅 파워와 높은 대역폭의 데이터 전송 및 낮은 지연 시간을 구현하는 이종 기술입니다.
삼성 파운드리의 I-Cube E는 큰 인터포저 사이즈의 이점을 모두 아루르는 실리콘 임베드 구조를 가지고 있습니다.
I-Cube E
  • I-Cube E는 정교한 패터닝을 통한 실리콘 브릿지와 TSV가 없는 구조의 RDL 인터포저 및 PLP를 적용한 큰 인터포저 사이즈의 이점을 모두 아우르는 실리콘 임베드 구조를 가지고 있습니다.
삼성 파운드리의 H-Cube는 하이브리드 기판을 적용한 구조이며, I-Cube 2.5D 패키징에 구현할 수 있습니다.
H-Cube
  • H-Cube는 하이브리드 기판을 적용한 구조이며, 정교하게 패터닝된 ABF(Ajinomoto Build-up Film) 기판과 HDI(High Density Interconnection) 기판을 결합하여 큰 사이즈를 I-Cube 2.5D 패키징에 구현할 수 있습니다.

X-Cube 3D IC

3D IC 패키지는 구성 요소를 수직으로 쌓아 온칩 공간을 절약하며,

칩 사이의 공간을 줄임으로써 표면적을 줄이고 범핑 성능을 높입니다.
대형 사이즈의 칩 제작할 때의 위험을 획기적으로 줄여줌으로써,

높은 대역폭을 확보하고 저전력 성능을 유지하면서도 비용은 낮습니다.

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삼성 파운드리의 X-Cube(u-Bump)는 Z축으로 로직 다이를 적층하고 칩간의 향상된 본딩 능력을 갖췄습니다.
X-Cube (u-Bump)
  • X-CUBE는 Z축으로 로직 다이를 적층하고 칩간의 향상된 본딩 능력을 통해 첨단 패키징에 한 발짝 더 다가갑니다.
    삼성 파운드리에서는 이러한 혁신을 통해 뛰어난 칩온웨이퍼 및 하이브리드 구리 결합 기술을 더욱 빠르게 발전시켜 스택 당 더 많은 칩으로 X-CUBE를 뛰어난 속도와 성능 그 이상의 제품으로 도약시켰습니다.
삼성 파운드리의 X-Cube(Hybrid Copper Bonding)는 하이브리드 Cu-Cu 연결로 전보다 다양한 이점이 있습니다.
X-Cube (Hybrid Copper Bonding)
  • Hybrid Copper Bonding: 하이브리드 Cu-Cu 연결은 기존 칩 적층 기술과 비교했을 때 레이아웃 유연성의 관점에서 다양한 이점이 있습니다.
    삼성 파운드리에서는 4um 이하의 초미세 피치 Cu-Cu 연결을 개발하고 있습니다.